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關于原子沉積系統(tǒng)您都了解嗎?

更新時間:2021-05-24      點擊次數(shù):968
  原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅體源,化學吸附至表面飽和時自動終止,適當?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結構從而形成納米器件的工具。
 
  原子沉積系統(tǒng)的優(yōu)點包括:
 
  1.  可以通過控制反應周期數(shù)準確控制薄膜的厚度,從而達到原子層厚度精度的薄膜;
 
  2.  由于前驅體是飽和化學吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;
 
  3.  可生成較好的三維保形性化學計量薄膜,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;
 
  4.  可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;
 
  5.  薄膜生長可在低溫下進行(室溫到400度以下);
 
  6.  可廣泛適用于各種形狀的襯底;
 
  7.  原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質和MEMS器件,生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。
 
  原子沉積系統(tǒng)的技術參數(shù):
 
  基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;
 
  加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);
 
  均勻性: < 2%;
 
  前驅體數(shù):4路(可選配6路);
 
  兼容性: 可兼容100級超凈室。